＜ウェハー＞
・グレード ：ダミー、モニター、テスト、プライム
・材質 ：シリコン、サファイア、ガラス、ＳｉＣ、ＬＴ、LN、Ｇｅ、ＧａＮ、ＩｎＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＳＯＩなど
・製造方法 ：ＣＺ、ＦＺ
・導電型 ：Ｐ型、Ｎ型
・ドーパント ：Ｂｏｒｏｎ、Ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ、Ａｎｔｉｍｏｎｙ、Ａｒｓｅｎｉｃ、Ｕｎ-Ｄｏｐｅｄ
・直径 ：1-12インチ(角型状対応可能)
・面方位 ：(100)(110)(111)※その他面方位もあり
・抵抗値 ：お客様のご要望仕様にて
・面仕上げ ：ミラー、ＳＧ、エッチド、ラップド、アズカット
・サービス：成膜・再生・研磨研削・切断各種加工ウェハ検査等
・消耗品：ダイシングテープ・バックグラインディングテープなど
| 膜種 | 膜厚(Å） | 厚み公差 |
|---|---|---|
| ＳＩＯ2（Ｖ/Ｆ） | 500-100000 | ±10％ |
| Ｐ-ＴＥＯＳ | 500-30000 | ±10％ |
| ＬＰ-ＰＯＬＹ | 1000-5000 | ±10％ |
| ＡＬ-ＣＵ | 1000-10000 | ±10％ |
| Ｗ（CVD） | 3500-9000 | ±10％ |
| Ｐ-ＳＩＯ2 | 500-10000 | ±10％ |
| ＬＰ-ＴＥＯＳ | 3000-10000 | ±10％ |
| ＬＰ-ＳＩＮ | 700-2000 | ±10％ |
| ＨＤＰ | 2000-10000 | ±10％ |
| Ｐ-ＳＩＮ | 500-10000 | ±10％ |
| Ｔｉ | 100-3000 | ±10％ |
| ＴｉＮ | 140-500 | ±10％ |
| ＳＩＯ2（ＲＴＯ） | 18-200 | ±10％ |
| Ｗ（ＳＰＵＴＴＥＲ） | 500-1000 | ±10％ |
| Ｐ-ＳＩＯＮ | 200-1000 | ±10％ |
| ＲＥＳＩＳＴ | 5000-27000 | ±10％ |
| Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ | 40000 | ±10％ |
