OXFORD APPLIED RESEARCH

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取扱メーカー(代理店業務)
英国オックスフォードアプライドリサーチ社
(旧VSW-Atomtech社)
表面技術・ナノサイエンス研究用機器製品・薄膜製膜のUHV/HVコンポーネントを得意としております
 
ミニe-ビームエバポレータ
Oxford Applied Research社製ミニe­ビームエバポレータ EGシリーズは、超高純度膜の作製に利用されています。蒸着レートは、高度な制御が可能で多くの材料に対して0.1Å/min~50Å/minの範囲でコントロールが出来ます。
このミニe­ビームエバポレータ EGシリーズは、1ポケットと4ポケットのタイプがあり、4ポケットタイプには、それぞれ独立した制御が可能なEGN4と最高4つの材料の同時蒸着が可能なEGCO4があります。コンタミネーションの低減、低粒子生成率、高信頼性を追及したものです。
<用途>
◆ 数nmの薄膜作製、半導体ドーピングeba
<特徴>
◆ 冷却効率でコンタミネーションフリーの設計
◆ 材料はロッドまたはルツボ充填の選択
◆ 標準搭載のフラックスモニタリングプレートにより精密 な膜厚コントロールが可能
◆ 1、4ポケットのタイプ  4ポケットタイプは各ポケット

サーマルクラッカー
Oxford Applied Research社製TCシリーズサーマルガスクラッカーは電子ビーム加熱技術を利用し、ガス分子を低パワー(<60W)で効率よく解離します。直接水冷することにより、常に30℃以上になるのは、フィラメントとクラッキングチューブだけなので、極めてクリーンなオペレーションとコンタミなしを可能にします。
TCシリーズサーマルガスクラッカーは、ガスラインに直接接続されている細い口径のイナートクラッカーチューブを組み込んでいるのでガス負担を制限し、非常に低い流量レートで高効率解離を供給します。
<用途>sa-maru
◆  " ソフト"基板クリーニング
◆ 酸化物、窒化物
◆ 表面活性
◆ ゼロダメージ水素クリーニング
◆ H、Cl、Brによるエッチング
◆ H2、O2、ハイドライド、ハロゲン
<特徴>
◆ 高い解離効率
◆ 超クリーンオペレーション
◆ 非常に低いパワー(<60W)
◆ バックアップフィラメント標準装備
◆ 低メンテナンス

ピエゾエレクトリックガスドーザー PLV1000
PLV1000ピエゾエレクトリックガスドーザーは、 UHVの装置に適合したオールメタルのリークバルブで、内蔵された圧電素子を用いて制御されます。電圧の印加によって内部の圧電素子に歪みが生じ、この現象を利用して内部で強力なスプリングによりシートに押付けられているセラミックスプランジャーを引き上げ、流量をコントロールします。
ノーマルクローズの設計になっており、小型の電源からパワーが供給されます。また、バルブの取付場所が手の届かない場所や危険な場所であっても遠隔操作が出来るようになっております。特殊仕様でオゾンガス対応も出来ます。
<用途>PIEZO
◆ 極微量ガス導入
◆ MBEガス導入
◆ ガスパルシング  ガスパルシング時のMin デュレーション 20msec
◆ システム圧力コントロール
<特徴>
◆ リモートコントロール
◆ オールメタル
◆ UHVに適合
◆ 超微量コントロール
◆ PCコントロール

RFアトムソース
Oxford Applied Research社製RFアトムソースはRF放電を利用した中性ビームの発生源です。このRFアトムソースは極めて高い原子フラックスとイオン量ゼロの中性ビームを生み出します。これは、イオンビームプロセスに関連するポイントデフェクトがない極めて高い品質材料の急速な成長を行ないます。
RFアトムソースは窒化物成膜、酸化物成膜、水素原子によるクリーニングに利用されています。
<用途>RFATOM
◆ 窒化物、酸化物、N-ドーピング、High-K誘電体、水素原子クリーニング
◆ GaInNAs、GaN、Al2O3、High-K
<特徴>
◆ 高解離率
◆ 高品質膜
◆ 均一性
◆ フラックス :>1×1016 atoms/cm2/sec
* Working distance: 100mm
◆ 動作真空度:< 5×10-3 mbar

低コストイオンソース
IG5は低いガス流量レートで作動する冷陰極イオン源で、イオンクリーニング、スパッタリングアプリケーションに理想的です。フィラメントがないのでメンテナンスが容易です。
<用途>低コストイオンソース
◆ イオンクリーニング
◆ スパッタリングアプリケーション
<特徴>
◆ ローコスト
◆ ビームエネルギー 1 – 5 keV
◆ 即座に動作
◆ フィラメントフリー

 

低エネルギーイオンソース LIon50
低エネルギーイオンソース LIon50は電子衝撃を利用した低エネルギーガスイオンソースです。
<用途>低エネルギーイオンソース
◆基盤クリーニング
◆表面改質
◆エッチング
<特徴>
◆ビームエネルギー 30eV-1keV
◆狭いエネルギー幅
◆O2のような活性ガスにも対応

サドルフィールド型アトムソース
VSW Atomtech社製サドルフィールドファーストアトムビーム(FAB)ソースは電荷を持たない中性の直線ビームを成生します。不安定で低出力の従来の冷陰極の常識を変え、ビームを中性化することで、これまで電荷粒子が問題になっていた誘電体や半導体への照射やエッチングプロセスにも適用が可能になりました。
FAB110サドルフィールドファーストアトムソースは様々な材料のアトムビームエッチングとスパッタリングに効果的です。
FABソースの応用は、ArやXeのような不活性ガスによる基板のクリーニング、スパッタエッチング、スパッタエッチングアトムビームスパッタ蒸着です。
CF4、SF6、C2F6、C3F8、CHF3、I2のような活性ガスも半導体材料のミリングに利用されます。
<用途>サドル
◆製膜前の基板クリーニング
◆常温接合前のサンプルのクリーニング、表面の活性化
◆半導体基板等のエッチング
◆微細加工
◆リアクティブアトムビームエッチング
<特徴>
◆電荷を持ったイオンによる衝撃と異なり、絶縁物や半導体資料にもチャージダメージなし
◆ビームが電荷を持たないので電場や磁場中でも曲がらずに直進します
<仕様>
◆最大出力電流(mA)                    2
◆ビームエネルギー(keV)                   0.8-2.3
◆最大入力パワー(W)                      100
◆最大プラズマ電流(mA)                    40
◆ガス流量(sccm) 1セル、2セル                  4、6
◆動作真空度(mbar)                                      1×10-3
◆冷却水(L/min 20℃)                                    2
◆寸法                                                           45x80x40mm

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